本文摘要：一、SICMOSFET的特性1、导通电阻随温度变化率较小，高温情况下导通电阻很低，能在险恶的环境下很好的工作。

一、SICMOSFET的特性1、导通电阻随温度变化率较小，高温情况下导通电阻很低，能在险恶的环境下很好的工作。2、随着门近于电压的增高，导通电阻就越小，展现出更加相似于压控电阻。3、通车必须门近于电荷较小，总体驱动功率较低，其体二极管Vf较高，但反向恢复性很好，可以减少通车损耗。

4、具备更加小的结电容，变频器速度较慢，变频器损耗更加小。5、开关损耗小，可以展开高频电源动作，使得滤波器等无源器件小型化，提升功率密度。

6、通车电压低于低于SI器件，引荐用于Vgs为18V或者20V，虽然打开电压只有2．7V，但只有驱动电压超过18V～20V时才能几乎通车。7、误将启动时耐性稍差，必须有源钳位电路或者产生胜电压避免其误将启动时。图1ST公司SICMOSFET参数图2ST公司IGBT参数二、SICMOSFET对驱动的拒绝1、启动时脉冲有较为慢的下降速度和上升速度，脉冲前沿和后沿要陡。2、驱动电路的电阻无法过于大，通车时较慢对栅极电容电池，变频器时栅极电容需要较慢静电。

3、驱动电路需要获取充足大的驱动电流4、驱动电路需要获取充足大的驱动电压，减半小SICMOSFET的导通损耗。5、驱动电路使用负压变频器，避免误导合，强化其抗干扰能力。6、驱动电路整个驱动电路宿主电感要小，驱动电路尽可能附近功率管。

7、驱动电路峰值电流Imax要更大，增大米勒平台的持续时间，提升电源速度。三、SICMOSFET驱动电路设计对于有IGBT驱动电路设计经验的工程师来说，SICMOSFET驱动电路的设计与IGBT驱动电路的设计类似于，可以在原本的驱动电路上展开改动参数展开设计。驱动电源的设计SICMOSFET电源的设计，根据其特性，必须有负压变频器和比起SIMOSFET较高的驱动电压，一般设计电源为－6V～＋22V，根据有所不同厂家的有所不同Datasheet大家自由选择适合的电源正负电压的设计，这里只得出一个笼统的设计范围。

可以将IGBT模块驱动电源展开略为改动用于在这里，比如，特斯拉在并存IGBT和SICIGBT上都是用反激电源，明确电路参照历史文章中对特斯拉ModelS与Model3的硬件对比分析中，也可以用于电源模块，比如国内做到的较为好的金升阳的电源模块，可以减少设计可玩性，但成本也不会适当的增高。驱动电路的设计驱动芯片，英飞凌和ST都有适当的驱动芯片，并且原本英飞凌用作IGBT驱动的1ED系列和2ED系列都可以用在SICMOSFET的驱动电路，如下图右图，英飞凌对SICMOSFET驱动IC的讲解，明确的参数朋友们可以参照英飞凌的Datasheet（录：不是在为谁打广告，因为常常用英飞凌的产品，较为熟知就拿出来对比）。ST也有适当的门极驱动芯片，如Model3上用于的STGAP1AS，明确的规格书大家可以参看ST官网的Datasheet，或者恢复本文题目：SICMOSFET驱动电路设计阐述，将不会获得适当的Datasheet。

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