本文摘要：概要从低密度的后通孔TSV硅3D构建技术,到高密度的引线混合键合或3DVSLICoolCubeTM解决方案,研究人员找到许多研发新产品的机会。

概要从低密度的后通孔TSV硅3D构建技术,到高密度的引线混合键合或3DVSLICoolCubeTM解决方案,研究人员找到许多研发新产品的机会。本文阐述了当前新兴的硅3D构建技术,辩论了图像传感器、光子器件、MEMS、WideI/O存储器和布局先进设备逻辑电路的硅中介层,环绕3D平台性能评估,重点讲解硅3DPCB的主要挑战和技术发展。硅的3D应用于机会从最初为图像传感器设计的硅2.5D构建技术[1],到简单的高密度的高性能3D系统,硅3D构建是在同一芯片上构建所有功能的系统芯片(SoC)之外的另一种反对各种类型的应用于的解决方案,可用作创立性价比更高的系统。硅3D构建技术的主要优势:延长点对点线长度,减少R.C乘积,让先进设备系统芯片(SoC)需要横向区分功能,更进一步减少系统尺寸和外形因数[2]。

在首批经常出现的3D产品中,业界指出存储器层叠方案可以提升DRAM/逻辑控制器的容量/比特率,限于于高性能计算出来系统、图形处理器、服务器和微型服务器(图1)。图1:与逻辑控制器连接的DRAM混合存储器层叠模块(HMC)(来源:美光)。美光的混合存储器模块(HMC)[3]和海力士的宽带存储器(HBM)[4]开始转入量产阶段,这两个解决方案都相连硅中介层,面向高性能计算出来(HPC)应用于。

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